[发明专利]制作单晶硅太阳电池绒面的方法无效
| 申请号： | 200510111453.2 | 申请日： | 2005-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN1983644A | 公开（公告）日： | 2007-06-20 |
| 发明（设计）人： | 汪乐 | 申请（专利权）人： | 上海太阳能科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L21/306;C23F1/40 |
| 代理公司： | 上海航天局专利中心 | 代理人： | 金家山 |
| 地址： | 201108上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制作单晶硅太阳电池绒面的方法，其特点在于将单晶硅置入碱腐蚀溶液中，该碱腐蚀溶液是NaOH、酒精和葡萄糖的混合水溶液，其中，NaOH的浓度为0.5－1.5％，葡萄糖的浓度为1－5％，NaOH溶液∶酒精∶葡萄糖溶液＝(9－11)∶1∶(0.01－0.02)；腐蚀温度为85℃，腐蚀时间为30－45分钟。用本发明方法制备的绒面(正金字塔)小而均匀覆盖整个表面，金字塔塔尖清晰和低表面反射率(约8％左右)，提高了电池短路电流和光电转化效率。本发明适合大面积，如125×125mm2和156×156mm2太阳电池的生产使用。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 单晶硅 太阳电池 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作单晶硅太阳电池绒面的方法，其特征在于将单晶硅置入碱腐蚀溶液中，该碱腐蚀溶液是NaOH、酒精和葡萄糖的混合水溶液，其中，NaOH的浓度为0.5-1.5％，葡萄糖的浓度为1-5％，NaOH溶液∶酒精∶葡萄糖溶液＝(9-11)∶1∶(0.01-0.02)；腐蚀温度为85℃，腐蚀时间为30-45分钟，上述比例是体积比。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
