[发明专利]一种实现碳纳米管薄膜阴极图形化场致发射显示的方法无效
| 申请号： | 200510111624.1 | 申请日： | 2005-12-16 |
| 公开（公告）号： | CN1790589A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 冯涛;戴丽娟;蒋军;王曦;张正选 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;H01J9/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种简单而有效的方法来实现印刷法制备的CNT薄膜阴极的图形化场致发射显示，其特征在于首先将直接印刷整片的碳纳米管薄膜，通过热处理工艺去除印刷过程中的有机添加物得到整片的碳纳米管薄膜阴极，然后通过机械的表面图形转移法使需要显示的图形转移到碳纳米管薄膜阴极表面，从而实现印刷法制备的碳纳米管阴极图形化场致发射显示；本发明提供的方法不需图形化的印刷模版，也不需要复杂的后处理工艺，大大减少了工艺步骤和工艺成本，通过一次机械的表面图形转移就可以实现印刷法制备的CNT薄膜阴极的图形化显示。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 实现 纳米 薄膜 阴极 图形 化场致 发射 显示 方法 | ||
【主权项】：
1.一种实现印刷法制备的碳纳米管薄膜阴极图形化场致发射显示的方法，其特征在于首先将直接印刷整片的碳纳米管薄膜，通过热处理工艺去除印刷过程中的有机添加物，得到整片的碳纳米管薄膜阴极，然后通过机械的表面图形转移法使需要显示的图形转移到碳纳米管薄膜阴极表面，从而实现印刷法制备的碳纳米管阴极图形化场致发射显示。
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