[发明专利]一种肖特基二极管无效
| 申请号： | 200510111690.9 | 申请日： | 2005-12-20 |
| 公开（公告）号： | CN1988180A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 徐向明;李平梁 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人： | 丁纪铁 |
| 地址： | 201206上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种改进的肖特基二极管，它可以在更精确地控制接触面积的前提下，有效地改善了肖特基结的侧面接触。它形成于一轻掺杂的N阱中，在N阱之上有硅化物合金层和至少一个接触区域，所述接触区域其具有高掺杂的N型层，所述硅化物合金层与N阱掺杂区域形成肖特基接触，所述硅化物合金层与接触区域形成欧姆接触，其中，在肖特基接触和欧姆接触之间有一层硅化物阻挡层，用于隔离肖特基接触和欧姆接触。所述轻掺杂的N阱为普通轻掺杂的N阱。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 | ||
【主权项】：
1、一种肖特基二极管，它形成于一轻掺杂的N阱中，在N阱之上有硅化物合金层和至少一个接触区域，所述接触区域其具有高掺杂的N型层，所述硅化物合金层与N阱掺杂区域形成肖特基接触，所述硅化物合金层与接触区域形成欧姆接触，其特征在于，在肖特基接触和欧姆接触之间有一层硅化物阻挡层，用于隔离肖特基接触和欧姆接触。
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