[发明专利]生长纳米级气泡的方法及其观察并控制装置与方法有效
| 申请号： | 200510111757.9 | 申请日： | 2005-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1987414A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 张立娟;胡钧;方海平;樊春海;张益;沈广霞 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海应用物理研究所 |
| 主分类号： | G01N13/00 | 分类号： | G01N13/00;G01N1/28;C25B1/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 薛琦 |
| 地址： | 201800上*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种生长纳米级气泡的方法，其采用电化学方法，以疏水的、表面粗糙度不超过10纳米的导电材料为工作电极，同时作为生长纳米气泡的基底，并控制电压至少为0.7V的正压或负压，反应时间为1秒～2.5小时。本发明也公开了一种观测并控制上述生长纳米级气泡的装置和方法。本发明方法可以产生某一单体成分的纳米级气泡，具有很好重现性，操作简便；而且，通过改变电压和反应时间可以控制纳米气泡的大小和数量。 | ||
| 搜索关键词： | 生长 纳米 气泡 方法 及其 观察 控制 装置 | ||
【主权项】：
1、一种生长纳米级气泡的方法，其特征在于采用电化学方法，以疏水的、表面粗糙度不超过10纳米的导电材料为工作电极，同时作为生长纳米气泡的基底，并控制电压至少为0.7V的正压或负压，反应时间为1秒～2.5小时。
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