[发明专利]套筒式放大器有效
申请号: | 200510111903.8 | 申请日: | 2005-12-23 |
公开(公告)号: | CN1988372A | 公开(公告)日: | 2007-06-27 |
发明(设计)人: | 黄大赉 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H03F1/02 | 分类号: | H03F1/02;H03F3/20;H03F3/213 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 | 代理人: | 丁纪铁 |
地址: | 201206上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种套筒式放大器,由一个单级套筒式放大器,四个增益辅助电路,一个共态反馈电路和偏压电路组成;增益辅助电路采用单端输入-单端输出的高振幅低压控制放大器,其中两个为类型甲增益辅助放大器,两个为类型乙增益辅助放大器;类型甲增益辅助放大器连接在单级套筒式放大器的PMOS晶体管上,类型乙增益辅助放大器连接在单级套筒式放大器的NMOS晶体管上。本发明可有效提高单级套筒式放大器的增益,满足高位流水线模数转换器的设计需要。 | ||
搜索关键词: | 套筒 放大器 | ||
【主权项】:
1、一种套筒式放大器,包括一单级套筒式放大器,所述单级套筒式放大器由四个PMOS晶体管M1~M4组成的PMOS共源共栅电路,与由四个NMOS晶体管M5~M8组成的NMOS共源共栅电路连接,NMOS共源共栅电路与NMOS晶体管M9连接;还包括增益辅助电路,其特征在于:所述增益辅助电路采用单端输入—单端输出的高振幅低压控制放大器,其中两个为类型甲增益辅助放大器,两个为类型乙增益辅助放大器;类型甲增益辅助放大器连接在单级套筒式放大器的PMOS晶体管上,类型乙增益辅助放大器连接在单级套筒式放大器的NMOS晶体管上;共态反馈电路输入端V0+、V0-与单级套筒式放大器的输出端V0+、V0-连接,共态反馈电路的Vcmfb端与PMOS晶体管M1和M2的栅极相连接;共态反馈电路通过检测单级套筒式放大器输出端V0+、V0-得到平均值VCM,然后去控制单级套筒式放大器PMOS晶体管M1和M2的栅压;偏压电路向单级套筒式放大器、类型甲和类型乙增益辅助放大器提供工作电流;单级套筒式放大器的NMOS晶体管M7和M8控制极输入应用电压后,经单级套筒式放大器放大为共源共栅电流信号,四个增益辅助放大器将共源共栅电流信号放大后转换成一个电压信号;然后,再把被转换的共源共栅电压信号加在单级套筒式放大器的PMOS晶体管M3、M4和NMOS晶体管M5、M6共源共栅晶体管的控制极上,最后由单级套筒式放大器输出放大后的信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510111903.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:具有柔性印刷电路板的通信连接器
- 下一篇:多化学剂电镀系统