[发明专利]高密度MgB2超导带材的制备方法无效

专利信息
申请号: 200510111915.0 申请日: 2005-12-23
公开(公告)号: CN1794364A 公开(公告)日: 2006-06-28
发明(设计)人: 李文献;李瑛;朱明原;金红明;陈荣华 申请(专利权)人: 上海大学
主分类号: H01B12/00 分类号: H01B12/00;H01B13/00;H01L39/24
代理公司: 上海上大专利事务所 代理人: 何文欣
地址: 200444*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 发明涉及一种高密度MgB2超导带材的制备方法。该方法的具体步骤如下:将Mg粉料和B粉料,经研磨后封入钽箔,将钽箔放置于加热管内,并在惰性气氛下,升温至650~950℃,保温0.5~10小时,进行第一次烧结制成MgB2超导材料;将MgB2超导材料研磨成颗粒度为2~3μm的MgB2粉末,再与Mg粉和B粉混合后进行第二次烧结,即得到高密度的MgB2超导带材。本发明方法制得的MgB2超导带材具有细化的晶粒、较大的晶界面积、理想的晶界连接,不存在微裂纹,并且不夹杂有其他的化合物,纯度很高。
搜索关键词: 高密度 mgb sub 超导 制备 方法
【主权项】:
1.一种高密度MgB2超导带材的制备方法,其特征在于该方法包括以下步骤:a、将经真空干燥处理过的Mg粉料和B粉料,按物质的量比为:Mg∶B=0.7~1.3∶2的比例进行配料,将配料进行均匀研磨后,封入钽箔;b、将上述钽箔放置于加热管内,在惰性气氛下,将加热管进行加热,升温至650~950℃,保温0.5~10小时;然后将样品随炉冷却,即制成MgB2超导材料;c、将上述的MgB2超导材料从上述钽箔中取出后,研磨成颗粒度为2~3μm的MgB2粉末;然后在MgB2粉末中加入Mg粉和B粉的混合物,Mg粉和B粉的混合物与MgB2粉末的质量比为0-0.2∶1,所述Mg粉和B粉的混合物中Mg粉和B粉的物质的量比为0.7~1.3∶2;d、将步骤c得到的混合料进行均匀研磨后,做成预制件;然后将该预制件放置于加热管内,并在惰性气氛下加热,升温至650~950℃后保温0.5~10小时;然后随炉冷却,即得到高密度的MgB2超导带材。
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