[发明专利]提高触发效率的静电放电保护元件结构无效
| 申请号： | 200510111956.X | 申请日： | 2005-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1988150A | 公开（公告）日： | 2007-06-27 |
| 发明（设计）人： | 徐向明 | 申请（专利权）人： | 上海华虹NEC电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/60 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 王洁 |
| 地址： | 201026*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明一种静电放电保护元件结构，在Nch Buffer晶体管和阱控制的防护圈(guard－ring)之间插入一个N阱环，使得所有晶体管的体电阻都增大。在ESD发生时更容易进入击穿导通状态，而且也能使所有finger的晶体管都均匀动作，共同进入保护状态，从而达到更快更强的保护效果。 | ||
| 搜索关键词： | 提高 触发 效率 静电 放电 保护 元件 结构 | ||
【主权项】：
1、一种静电放电保护元件结构，该NMOS元件结构形成于一衬底的P型阱上，所述NMOS元件结构包括一栅极，设于所述P型阱中；一第一N+扩散区域，设于该P型阱中，用来当作该NMOS元件结构的漏极；一第二N+扩散区域，设于该P型阱中，用来当作该NMOS元件结构的源极；一P+扩散区域，设于该P型阱中，作为防护圈，其特征在于：在P+防护圈和N+扩散区域之间设有一N阱环。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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