[发明专利]半导体量子阱负有效质量器件产生太赫兹辐射的方法无效
| 申请号： | 200510111962.5 | 申请日： | 2005-12-23 |
| 公开（公告）号： | CN1822459A | 公开（公告）日： | 2006-08-23 |
| 发明（设计）人： | 曹俊诚 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343;H01S5/00;H01L33/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种基于半导体量子阱负有效质量机制的太赫兹(THz，1THz＝1012Hz)辐射产生方法。给出了p型量子阱负有效质量p+pp+二极管的器件结构。在适当的掺杂和偏置条件下，由于高场畴的形成，二极管中将产生THz电流自振荡，自振荡电流的振荡频率在THz范围。设计了可调谐的半导体量子阱负有效质量THz振荡源，该振荡源具有体积小、重量轻、易集成等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 量子 有效 质量 器件 产生 赫兹 辐射 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于半导体量子阱负有效质量器件产生太赫兹辐射的方法，其特征在于设计的P型量子阱负有效质量p+pp+二极管的器件的中间为具有负有效质量的半导体——NEMp区，两端为高掺杂的接触区——p+区，当外加直流偏置时，NEM p区形成高场畴，在器件中产生太赫兹电流自振荡；产生振荡要求的P型掺杂浓度范围为2×1016cm-3 到8×1017cm-3之间。
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