[发明专利]多孔硅/羟基磷酸钙复合衬底的制备方法无效
| 申请号： | 200510112156.X | 申请日： | 2005-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN1819114A | 公开（公告）日： | 2006-08-16 |
| 发明（设计）人： | 陈少强;朱自强;朱建中 | 申请（专利权）人： | 华东师范大学 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;G01N33/48;C12Q1/00;C12Q1/68;A61L31/12;A61L31/16 |
| 代理公司： | 上海德昭知识产权代理有限公司 | 代理人： | 程宗德;石昭 |
| 地址： | 200062*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种多孔硅/羟基磷酸钙复合衬底的制备方法，属生物、材料与微电子多学科交叉的技术领域。该方法包括羟基磷酸钙凝胶的制备，将羟基磷酸钙凝胶涂布在多孔硅片上和经高温处理三个步骤，制得多孔硅/羟基磷酸钙复合衬底。该方法有制备工艺简单，易于实施，成本低的优点。此外，该方法的产品性能好：复合衬底的羟基磷酸钙层与多孔硅层结合牢固和复合衬底具有高的生物活性和生物相容性，特别适合于作生物芯片、可植入人或动物体内的传感器和电子电路芯片的衬底。 | ||
| 搜索关键词： | 多孔 羟基 磷酸钙 复合 衬底 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、一种多孔硅/羟基磷酸钙复合衬底的制备方法，以多孔硅片为衬底，其特征在于，制备步骤包括：第1步羟基磷酸钙凝胶的制备将亚磷酸三乙酯按其与水的摩尔比为1∶8，溶入去离子水中，搅拌10～24小时，按Ca/p的摩尔比＝1.67，将定量的Ca(NO2)2·4H2O溶液滴加到亚磷酸三乙酯溶液中，氨水调节pH值至10，搅拌均匀，得羟基磷酸钙凝胶；第2步羟基磷酸钙涂层的制备用涂胶机在2000～3000转/秒的转速下，将第1步得到的羟基磷酸钙凝胶涂布在多孔硅片的多孔硅层上，80～120℃下烘干，得羟基磷酸钙涂层；第3步高温退火将第2步得到的涂有羟基磷酸钙层的多孔硅片在500～1000℃下高温退火30～60分钟，得成品，羟基磷酸钙/多孔硅复合衬底。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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