[发明专利]基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法无效
| 申请号： | 200510112214.9 | 申请日： | 2005-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1793892A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 侯中宇;张亚非;蔡炳初;徐东;魏星 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | G01N27/62 | 分类号： | G01N27/62;H01L49/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微细加工技术领域的基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法，包括如下步骤：(1)衬底的清洗，(2)底电极层的制备，(3)金属支柱层的制备，(4)金属顶电极层的制备，(5)去除微铸模。本发明提出使用标准微电子加工技术中图形转换技术和金属微电铸技术，作为实现基于一维纳米材料的微气体传感器的制造工艺，可以极大提高对该种传感器核心结构要素的控制精度和器件结构设计的灵活性。因此可以极大提高器件的性能，包括提高精度、敏感度、安全性、稳定性和降低能耗与成本。并可以方便地实现器件的阵列化设计，并方便实现微型智能传感器。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 材料 气体 传感器 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种基于一维纳米材料的微气体传感器的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)衬底的清洗；(2)底电极层的制备，将底电极金属层图形化形成金属底电极和电铸种子层，金属底电极和电铸种子层相互隔离，一维纳米材料层处于每一个金属底电极表面，构成一个底电极单元；(3)金属支柱层的制备，利用感光材料制造金属微铸模，并作为包含一维纳米材料空腔结构的牺牲层，利用感光材料层的厚度在几微米到几十微米的范围内控制一维纳米材料层与金属顶电极层的间距；(4)金属顶电极层的制备，在顶电极金属种子层以及电铸金属层的图形上制造利于去除下层感光材料牺牲层的空洞结构；(5)去除微铸模。
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