[发明专利]使用一维纳米材料的阴阳微空洞电极等离子体器件结构无效
| 申请号： | 200510112215.3 | 申请日： | 2005-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN1794410A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 侯中宇;蔡炳初;张亚非;徐东;魏星 | 申请（专利权）人： | 上海交通大学 |
| 主分类号： | H01J37/04 | 分类号： | H01J37/04;B82B1/00;H05H1/00 |
| 代理公司： | 上海交达专利事务所 | 代理人： | 王锡麟;王桂忠 |
| 地址： | 200240*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种微电子技术领域的使用一维纳米材料的阴阳微空洞电极等离子体器件结构。本发明包括：衬底、阴阳微空洞电极、一维纳米结构层。阴阳微空洞电极设置在衬底上，一维纳米结构层覆盖于每个空洞电极内壁的部分或者全部表面。阴阳微空洞电极由气体间隔相互隔离。本发明既可以得到空洞电极特征的等离子体，并利用对侧等离子体的带电粒子漂移和亚稳态进一步提高空洞内部的电离，增加带电粒子产额和亚稳态产额；又可以利用阴阳空洞之间的气体间隙提高气体流动性，增强可控性；一维纳米结构层的加入可以增强电场集中，降低工作电压。 | ||
| 搜索关键词： | 使用 纳米 材料 阴阳 空洞 电极 等离子体 器件 结构 | ||
【主权项】：
1、一种使用一维纳米材料的阴阳微空洞电极等离子体器件结构，包括：衬底(1)、阴阳微空洞电极(2)、一维纳米结构层(4)，其特征在于，阴阳微空洞电极(2)设置在衬底(1)上，一维纳米结构层(4)覆盖于每个阴阳微空洞电极内壁的部分或者全部表面，阴阳微空洞电极(2)由气体间隔相互隔离。
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