[发明专利]TFT阵列基板D断线的判断方法无效
申请号: | 200510112253.9 | 申请日: | 2005-12-28 |
公开(公告)号: | CN1996440A | 公开(公告)日: | 2007-07-11 |
发明(设计)人: | 张俊峰 | 申请(专利权)人: | 上海广电NEC液晶显示器有限公司 |
主分类号: | G09G3/00 | 分类号: | G09G3/00;G01R31/00;G02F1/13;G01M11/00 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人: | 薛琦 |
地址: | 201108上*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明公开了一种提高TFT阵列基板生产过程中,提高漏线(D线)断线检查准确率和抓取率的方法,在现有VCS分类中,将其中的d_open断线类型,根据新的标准,再细分为d_lack、d_open1、d_open2、d_open3、d_open4五种特殊类型。由于给出了这五种具有不同特征的D断与其他非D断类型之间的差异,减少了不同特征的d_open与其他非d_open的缺陷类型由于特征上相似而导致的误判,可以方便的改善现有的对应处理方法,提高了d_open检出的准确率和抓取率。 | ||
搜索关键词: | tft 阵列 断线 判断 方法 | ||
【主权项】:
1、一种判断TFT阵列基板D断线的方法,其特征在于,将d_open断线类型分为五个子类。
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