[发明专利]8－羟基喹啉铝/氧化硅复合发光材料的制备方法无效
| 申请号： | 200510112410.6 | 申请日： | 2005-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1803971A | 公开（公告）日： | 2006-07-19 |
| 发明（设计）人： | 曾洪宇;施剑林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| 主分类号： | C09K11/06 | 分类号： | C09K11/06;C09K11/59;G09F13/20 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 20005*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种用于发光显示器件的8－羟基喹啉铝/氧化硅复合发光材料的制备方法的。属于发光材料领域。包括下述步骤：(1)对8－羟基喹啉(HQ)进行功能化改性，嫁接有机活性反应基团；(2)改性过的8－羟基喹啉溶于乙醇，然后加入硅烷偶联剂，制得硅烷化配体(SiHQ)；(3)将硅烷化配体(SiHQ)配成二甲基甲酰胺(DMF)溶液，加入正硅酸乙酯(TEOS)，再加入去离子水及铝离子溶液，搅拌、干燥，取出后得到8－羟基喹啉铝/氧化硅有机－无机复合发光材料。该材料发光强度高，发射光谱在蓝光范围内，可以实现溶液中的处理，利于OLED器件构造，对水及氧的化学稳定性强，有利于延长器件寿命，原料价格低廉，工艺相对简单，利于大生产。 | ||
| 搜索关键词： | 羟基 喹啉 氧化 复合 发光 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1、8-羟基喹啉铝/氧化硅复合发光材料的制备方法，其特征在于包括下述步骤：(1)对8-羟基喹啉(HQ)进行功能化改性，嫁接有机活性反应基团；(2)改性过的8-羟基喹啉溶于乙醇，然后加入硅烷偶联剂，制得硅烷化配体(SiHQ)；(3)将硅烷化配体(SiHQ)配成二甲基甲酰胺(DMF)溶液，加入正硅酸乙酯(TEOS)，再加入去离子水及铝离子溶液，搅拌、干燥，取出后得到8-羟基喹啉合铝/氧化硅有机-无机复合发光材料。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海硅酸盐研究所，未经中国科学院上海硅酸盐研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510112410.6/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：脉动式热传输装置
- 下一篇：锌金属硫蛋白的生产方法
