[发明专利]在绝缘体上硅的硅片上纳米宽度谐振结构及其制作方法无效
| 申请号： | 200510112436.0 | 申请日： | 2005-12-30 |
| 公开（公告）号： | CN1792765A | 公开（公告）日： | 2006-06-28 |
| 发明（设计）人： | 杨恒;许科峰;李铁;焦继伟;李昕欣;王跃林 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | B82B1/00 | 分类号： | B82B1/00;B82B3/00 |
| 代理公司： | 上海智信专利代理有限公司 | 代理人： | 潘振甦 |
| 地址： | 200050*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种在SOI硅片上纳米宽度谐振结构及制作方法，其特征在于巧妙利用了(110)晶向硅片的各向异性湿法腐蚀特性，通过精确控制光刻掩模图形与(112)晶向间夹角，利用各向异性湿法腐蚀会自动校准晶向、同时结合腐蚀液对(111)晶面的低速腐蚀减小宽度，在(110)绝缘体上硅的硅片上制作出宽度小于光刻最小线宽、侧壁为(111)晶面的纳米梁结构，通过浓硼自终止技术很好地控制锚点和驱动电极的形貌。利用本发明可以制成宽度小于100纳米的纳米梁，在纳米梁两侧制作驱动/敏感电极，从而实现纳米谐振结构。由于各向异性湿法腐蚀对硅(111)晶面的腐蚀速率慢，可以通过控制腐蚀时间实现对纳米梁宽度的较精确控制。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘体 硅片 纳米 宽度 谐振 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种在绝缘体上硅的硅片上纳米宽度谐振结构，其特征在于所述纳米梁由锚点支撑，且在纳米梁的两侧有一对电极；在锚点和电极上制作有金属压焊块，实现电学连接；纳米梁、锚点和电极均制作在(110)晶面的SOI硅片的上层硅上；且纳米梁下面的二氧化硅埋层被腐蚀去除，纳米梁可以自由振动。
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