[发明专利]碳纳米管阵列其制备方法及在制备天线阵列中的应用无效
| 申请号： | 200510112592.7 | 申请日： | 2005-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1948142A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 王洋 | 申请（专利权）人： | 王洋 |
| 主分类号： | C01B31/02 | 分类号： | C01B31/02;B82B1/00;H01Q21/00 |
| 代理公司： | 北京申翔知识产权代理有限公司 | 代理人： | 鲍梦熊 |
| 地址： | 100089北京市海*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明涉及碳纳米管阵列其制备方法及在制备光频偶极天线阵列中的应用，旨在提供用简单廉价高效率的方法对其结构的控制地制备纳米材料阵列及在制备光学频率偶极天线阵列中的应用。碳纳米管光频偶极天线阵列，其特征在于：碳纳米管垂直于衬底材料排列，碳纳米管或纤维的长度和直径比大于10。一种碳纳米管阵列的制法，其特征在于用过渡金属薄膜催化剂，调节其厚度，用等离子化学气相沉积系统并调节等离子体能量密度和分布，控制反应时间气压和气体流速比例，在较低温度下实现碳纳米管或纤维阵列在各种衬底上的大面积垂直生长并精确控制所产碳纳米管或纤维的长度和直径。 | ||
| 搜索关键词： | 纳米 阵列 制备 方法 天线 中的 应用 | ||
【主权项】：
1、一种碳纳米管或纤维阵列，其特征在于：该碳纳米管或纤维是垂直于衬底材料排列的，上述衬底材料为：各种金属及半导体材料，钠钙玻璃、聚酰亚胺薄膜、透明导电氧化物，该氧化物为：铟锡合金和氧化锌；该碳纳米管或纤维的长度为50nm-50000nm，其直径为5nm-300nm。
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