[发明专利]形成介电膜的方法和介电膜

摘要

本发明涉及一种由具有固有有机成孔剂的单一有机硅前体制备包含Si、C、O和H原子的SiCOH介电材料的方法。所述具有固有有机成孔剂的单一有机硅前体选自分子式为SiRR¹R²R³的硅烷(SiH₄)衍生物、分子式为R⁴R⁵R⁶Si－O－Si－R⁷R⁸R⁹的二硅氧烷衍生物、分子式为R¹⁰R¹¹R¹²－Si－O－Si－－R¹³R¹⁴－O－Si－R¹⁵R¹⁶R¹⁷的三硅氧烷衍生物，其中R和R^1－17可以相同或不同，并选自H、烷基、烷氧基、环氧基、苯基、乙烯基、烯丙基、烯基或炔基，它们可以是直链、支链、环状、多环状的，并且可以被含氧、氮或氟的取代基官能化。除了上述方法，本申请还提供了由本发明方法制备的SiCOH电介质以及包含该电介质的电子结构。

主权项

1.一种形成介电膜的方法，其包括：将基底放置在等离子体增强化学气相沉积(PECVD)反应器内；将具有固有有机成孔剂的单一有机硅前体供入所述PECVD反应器，所述具有固有有机成孔剂的单一有机硅前体包含分子式为SiRR1R2R3的硅烷衍生物、分子式为R4R5R6-Si-O-Si-R7R8R9的二硅氧烷衍生物、分子式为R10R11R12-Si-O-Si-R13R14-O-Si-R15R16R17的三硅氧烷衍生物，其中R和R1-17 可以相同或不同，并选自H、烷基、烷氧基、环氧基、苯基、乙烯基、烯丙基、烯基或炔基，它们可以是直链、支链、环状、多环状的，并且可以被含氧、氮或氟的取代基官能化；在所述基底上由所述单一有机硅前体形成沉积状的膜，所述沉积状的膜包含SiCOH基质成分和有机成孔剂成分；并且进行将所述有机成孔剂从所述沉积状的膜充分除去的处理步骤，从而提供具有约2.7或更低的介电常数的SiCOH介电材料。