[发明专利]铁电体存储器及其制造方法有效
| 申请号： | 200510112895.9 | 申请日： | 2005-10-19 |
| 公开（公告）号： | CN1763957A | 公开（公告）日： | 2006-04-26 |
| 发明（设计）人： | 松本昭人;神谷俊幸;山田健二;名取荣治;木下智雄 | 申请（专利权）人： | 精工爱普生株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/10 | 分类号： | H01L27/10;H01L29/92;H01L21/82;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 余刚 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种在制造工序以及制造之后，难以导致特性劣化，并且可靠性高的铁电体存储器及其制造方法。根据本发明的铁电体存储器(1000)的制造方法，包括以下工序：(a)通过在基板(10)的上方依次层积下部电极层(20)、铁电体层(30)、以及上部电极层(40)，形成铁电体层积体；(b)对铁电体层积体进行图案形成，形成铁电体电容器(100)；(c)通过物理气相沉积法，形成覆盖铁电体电容器(100)的第一屏障膜(50)；(d)通过化学气相沉积法，形成覆盖第一屏障膜(50)的第二屏障膜(60)。 | ||
| 搜索关键词： | 铁电体 存储器 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种铁电体存储器的制造方法，包括以下工序：(a)通过在基板的上方依次层积下部电极层、铁电体层、以及上部电极层，形成铁电体层积体；(b)对所述铁电体层积体进行图案形成，形成铁电体电容器；(c)通过物理气相沉积法，形成覆盖所述铁电体电容器的第一屏障膜；(d)通过化学气相沉积法，形成覆盖所述第一屏障膜的第二屏障膜。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
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