[发明专利]处理室和处理装置有效
申请号: | 200510112936.4 | 申请日: | 2005-10-14 |
公开(公告)号: | CN1841648A | 公开(公告)日: | 2006-10-04 |
发明(设计)人: | 天野健次 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/67 |
代理公司: | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本国*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明的目的是在不减小处理室内部尺寸的情况下,抑制外形尺寸的扩大,并减轻其重量。真空室(10)的本体(10a)的长边方向的侧壁(61a、61b)的壁厚L1形成为比侧壁(62a、62b)的壁厚L2薄,盖体(10b)的上部侧壁(63a、63b)的壁厚形成为比上部侧壁(64a、64b)的壁厚薄。在使用时,为了加固侧壁(61a、61b)和上部侧壁(64a、64b)的强度,外装可装卸的加固板(90a~90d)。 | ||
搜索关键词: | 处理 装置 | ||
【主权项】:
1.一种处理室,是容纳被处理体,在内部进行规定的处理,平面视图大致为矩形的处理室,其特征在于:在构成所述处理室的侧壁中,相对的两个侧壁的厚度形成为比另外两个侧壁的厚度薄,并具有对厚度薄的所述相对的两个侧壁进行加固的可装卸的加固部件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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