[发明专利]具有非凸面光电二极管的图像传感器及像素有效
申请号: | 200510113074.7 | 申请日: | 2005-10-12 |
公开(公告)号: | CN1805148A | 公开(公告)日: | 2006-07-19 |
发明(设计)人: | 真锅素平 | 申请(专利权)人: | 豪威科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 广州三环专利代理有限公司 | 代理人: | 戴建波 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供了一种在图像传感器的像素中使用的光电二极管,其增加了N-型区域与P-型区域之间的界面面积,比如通过使用P+型狭缝区或者P-型狭缝区。通过增加界面面积就可以获得较大的阱容量。进一步地这也将提高光电二极管的耗尽能力。通过改变N-型层的形状,可以达到增加P-型区域与N-型层之间的界面面积的效果。尽管可以用在N-型层上的形状有很多,但本发明针对的是能够增大P-型区域与N-型区域之间的界面面积的光电二极管。 | ||
搜索关键词: | 具有 凸面 光电二极管 图像传感器 像素 | ||
【主权项】:
1、一种有源像素,其包括:一形成在半导体基体内的光电二极管,所述的光电二极管是一形成在P-型区域内的N-型区,所述的N-型区包括至少一个凹度;一形成在所述光电二极管与一漂浮节点之间的传输晶体管,其选择地将来自所述光电二极管的信号传递至所述漂浮节点;以及一被所述漂浮节点控制的放大晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
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