[发明专利]可编程集成电路芯片及其操作方法有效
申请号: | 200510113101.0 | 申请日: | 2005-10-13 |
公开(公告)号: | CN1776909A | 公开(公告)日: | 2006-05-24 |
发明(设计)人: | 尼尔·Y·金;皮特·沃恩坎普 | 申请(专利权)人: | 美国博通公司 |
主分类号: | H01L27/00 | 分类号: | H01L27/00;H01L23/525 |
代理公司: | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蔡晓红 |
地址: | 美国*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | 本发明公开了一种具有可编程功能和特征的集成电路芯片及其操作方法,其中,一次可编程(OTP)存储器被用来实现非易失性存储器功能。所述OTP存储器可基于多状态熔丝和栅级氧化物熔丝。由于OTP存储器很小,与金属熔丝相比,占用较小的封装面积。另外,由于OTP存储器可作为标准CMOS制程的一部分来实现,这种方法比使用可电擦除的可编程只读存储器(E2PROM)成本更低、复杂度更小。 | ||
搜索关键词: | 可编程 集成电路 芯片 及其 操作方法 | ||
【主权项】:
1、一种可编程集成电路芯片,包括:配置来执行一个功能的电路块;与所述电路块连接的一次可编程存储器,所述OTP存储器可在所述电路芯片封装后被编程;其中所述电路块对所述OTP存储器的编程状态做出响应,以在多个操作模式中的一个操作模式下执行所述功能。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的