[发明专利]改善芯片面积和封装引线端子数量及寄生电感的IC器件无效
| 申请号： | 200510113234.8 | 申请日： | 2005-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN1770451A | 公开（公告）日： | 2006-05-10 |
| 发明（设计）人： | 樱井祥嗣 | 申请（专利权）人： | 夏普株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L23/48;H01L23/52 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 李玲 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明的半导体集成电路器件具有以下结构：在半导体衬底上设置的多个电路块中，对于按照彼此不是并行工作状态的第一电路块(1)和第二电路块(2)而言，共用第一电路块(1)和第二电路块(2)的GND线(G1)。而且，还电连接一个键合焊盘(PD)和GND线(G1)。因此，由于将两个电路块的GND端子设置为一个GND端子，所以就能够减少引线端子的数量。 | ||
| 搜索关键词： | 改善 芯片 面积 封装 引线 端子 数量 寄生 电感 ic 器件 | ||
【主权项】：
1、一种半导体集成电路器件，包括在半导体衬底上设置的多个电路，其特征在于：上述多个电路包括彼此不并行工作的第一电路(1)和第二电路(2)；并且该半导体集成电路器件还包括一条共用的第一电源线(G1)，该第一电源线(G1)将电源电压及接地电压之一供给到在上述半导体衬底上设置的上述第一电路和上述第二电路。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
