[发明专利]利用电弧制造发射器的设备和方法无效

专利信息
申请号: 200510113376.4 申请日: 2005-10-11
公开(公告)号: CN1822280A 公开(公告)日: 2006-08-23
发明(设计)人: 文昌郁;柳寅儆 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01J9/02 分类号: H01J9/02;C23C14/22;H01J31/12
代理公司: 北京市柳沈律师事务所 代理人: 陶凤波;侯宇
地址: 韩国*** 国省代码: 韩国;KR
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摘要: 提供了通过在真空室内部使电弧撞击晶片表面来制造发射器的方法和设备。所述设备包括:其中插入晶片的真空室;用于在所述真空室内部产生均匀磁场的磁场产生单元;用于在真空室内部形成与所述磁场平行的电场的电场产生单元;用于朝向晶片发射电子的主发射器。由主发射器发射的电子沿所述电场和磁场移动。控制所述电场的强度和主发射器的驱动电压,当所述电场或驱动电压超过阈值时产生电弧。由此,晶片的表面被电弧瞬时熔化并固化,由此在晶片的表面上形成具有尖锐尖端的发射器。
搜索关键词: 利用 电弧 制造 发射器 设备 方法
【主权项】:
1.一种利用电弧制造发射器的设备,该设备包括:真空室,在该真空室中插入了晶片;用于在所述真空室内部产生均匀磁场的磁场产生单元;用于在所述真空室内部形成与所述磁场平行的电场的电场产生单元;以及用于朝向所述晶片发射电子的主发射器,其中,所述电弧是在所述磁场和所述电场中通过所述主发射器发射的电子而产生的,所述电弧使所述晶片的表面瞬时熔化并固化,由此在所述晶片的表面上形成具有尖锐尖端的发射器。
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