[发明专利]半导体结构及其制作方法有效
| 申请号： | 200510113377.9 | 申请日： | 2005-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN1949485A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 郭建利;吴炳昌;饶瑞孟 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/00 | 分类号： | H01L23/00;H01L21/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构，其位于晶片的切割道区上，且环绕晶片的芯片区，此半导体结构包括依序配置于切割道区上的多层介电层以及配置于每一层介电层中的多个图案化金属。其中，每一层介电层中的图案化金属延伸至位于下一层的部分介电层中。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，位于一晶片的一切割道区上且环绕该晶片的一芯片区，该半导体结构包括：多个介电层，依序配置于该切割道区上；以及多个图案化金属，配置于每一该些介电层中，且延伸至位于下方的部分该介电层中。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于联华电子股份有限公司，未经联华电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/200510113377.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：凸块反射层的制作方法
- 下一篇：信号产生器及其移位寄存器
