[发明专利]半导体元件无效
| 申请号： | 200510113378.3 | 申请日： | 2005-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN1949537A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 林焕顺;施泓林;王湘莹;江日舜;范铭棋 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/161;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，此半导体元件包括衬底、栅极结构、间隙壁、硅化锗(SixGey)层以及硅化锗保护层。其中，栅极结构配置于衬底上，间隙壁配置于栅极结构侧壁。硅化锗层配置于间隙壁两侧的衬底中，且延伸至部分间隙壁下方，其中硅化锗层的顶部高于衬底的表面。另外，硅化锗保护层配置于硅化锗层上，且硅化锗保护层包括Six1Gey1，而0≤y1＜y。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 元件 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，包括：一衬底；一栅极结构，配置于该衬底上；一间隙壁，配置于该栅极结构侧壁；一硅化锗(SixGey)层，配置于该间隙壁两侧的该衬底中，且延伸至部分该间隙壁下方，其中该硅化锗层的顶部高于该衬底的表面；以及一硅化锗保护层，配置于该硅化锗层上，且该硅化锗保护层包括Six1Gey1，其中0≤y1＜y。
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