[发明专利]衬底处理设备无效
申请号: | 200510113420.1 | 申请日: | 2005-10-08 |
公开(公告)号: | CN1763916A | 公开(公告)日: | 2006-04-26 |
发明(设计)人: | 青木秀充;铃木达也;清水裕司 | 申请(专利权)人: | 恩益禧电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/00 | 分类号: | H01L21/00;H01L21/306;B08B3/08;G03F7/26 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 | 代理人: | 穆德骏;陆锦华 |
地址: | 日本神*** | 国省代码: | 日本;JP |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种衬底处理设备,其在抗蚀剂去除、清洗等方面提供高的处理效果。衬底处理设备包括:衬底安装台,其旋转保持其上的半导体衬底;第一容器,其储存要被提供到半导体衬底表面的第一液体;第二容器,其储存要被提供到半导体衬底表面的第二液体;连接第一容器和第二容器的混合单元,以便混合从第一和第二容器提供的第一液体和第二液体,由此提供混合溶液;和连接混合单元的喷嘴,以便将混合溶液提供到半导体衬底的表面。 | ||
搜索关键词: | 衬底 处理 设备 | ||
【主权项】:
1.一种衬底处理设备,包括:衬底安装台,其旋转保持在其上的半导体衬底;第一容器,其储存要被提供到所述半导体衬底表面的第一液体;第二容器,其储存要被提供到所述半导体衬底表面的第二液体;连接所述第一容器和所述第二容器的混合单元,以便混合从所述第一和所述第二容器提供的所述第一液体和所述第二液体,由此提供混合溶液;喷嘴,其将所述混合溶液提供到所述半导体衬底的所述表面;连接到所述混合单元和所述喷嘴的管道,以便将所述混合溶液从所述混合单元引导到所述喷嘴;以及加热所述管道的管道加热器。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于恩益禧电子股份有限公司,未经恩益禧电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510113420.1/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造