[发明专利]包括偏移有源区的半导体存储器件

摘要

一种半导体存储器件可以包括具有多个有源区的衬底和在衬底上围绕衬底的有源区的场隔离层。多个有源区的每一个在第一轴的方向上可以具有一长度和在第二轴的方向上可以具有一宽度，以及该长度可以大于该宽度。多个有源区可以被设置在第二轴的方向上的有源区的多个列中，以及相邻列的有源区在第二轴的方向上可以偏移。

主权项

1.一种半导体存储器件，包括：包括多个有源区的衬底，其中多个有源区的每一个在第一轴的方向上具有一长度，以及在第二轴的方向上具有一宽度，其中该长度大于该宽度，其中多个有源区设置在第二轴的方向上的有源区的多个列中，以及其中相邻列的有源区在第二轴的方向上偏移；以及衬底上围绕衬底的有源区的场隔离层。