[发明专利]操作串联排列的非易失性存储单元的方法及装置(一)有效
申请号: | 200510113476.7 | 申请日: | 2005-10-10 |
公开(公告)号: | CN1949516A | 公开(公告)日: | 2007-04-18 |
发明(设计)人: | 叶致锴 | 申请(专利权)人: | 旺宏电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/105 | 分类号: | H01L27/105;H01L27/115;H01L29/78;G11C16/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 读取一种具有一种电荷储存结构的存储单元,该读取是通过在存储单元的载电流节点之一与存储单元的衬底区域之间测量电流而进行的。当存储单元结构的其它部分储存不相关的数据时,读取操作减少不同部分的电荷捕捉结构之间的耦合。通过该读取操作,存储单元的感测范围可以显著地改善。例式的排列为串联存储单元以及串联存储单元阵列。 | ||
搜索关键词: | 操作 串联 排列 非易失性 存储 单元 方法 装置 | ||
【主权项】:
1、一种操作非易失性存储器阵列的方法,该非易失性存储器阵列利用电荷储存状态来储存数据,该非易失性存储器包含排列成行的非易失性存储单元,每一个该非易失性存储单元在衬底区域中包含第一和第二载电流节点,并且包含电荷储存结构以及一个或多个介电结构,所述一个或多个介电结构至少一部份在所述电荷储存结构与栅极电压源之间,并且所述一个或多个介电结构至少一部份在所述衬底区域与所述电荷储存结构之间,该方法包括:执行一个或多个存储器操作,在位线上施加位线偏压,包括:使该位线偏压与一行非易失性存储单元的一个第一端电连接,该行为串联排列,使该行中相邻的存储单元的相邻的所述第一和所述第二载电流节点电连接;以及使该位线偏压与该行非易失性存储单元的一个第二端电连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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