[发明专利]制作压力传感器的方法无效
| 申请号： | 200510113600.X | 申请日： | 2005-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1948932A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 邵世丰;杨辰雄 | 申请（专利权）人： | 探微科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G01L1/18 | 分类号： | G01L1/18 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种制作压力传感器的方法。所述方法包括提供一硅覆绝缘晶片，其包含有一单晶硅层、一绝缘层与一硅基材料层，且单晶硅层包含有一压力敏感元件。去除对应于压力敏感元件的硅基材料层与绝缘层，以形成一腔体。提供一接合基底，并利用一接合层接合硅基材料层与接合基底。 | ||
| 搜索关键词： | 制作 压力传感器 方法 | ||
【主权项】：
1、一种制作一压力传感器的方法，包含有：提供一硅覆绝缘晶片，所述硅覆绝缘晶片包含有一单晶硅层、一绝缘层与一硅基材料层，且所述单晶硅层包含有一压力敏感元件；去除对应于所述压力敏感元件的所述硅基材料层与所述绝缘层，以形成一腔体；以及提供一接合基底，并利用一接合层接合所述硅基材料层与所述接合基底。
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