[发明专利]陶瓷电子元件及其制造方法有效
| 申请号： | 200510113619.4 | 申请日： | 2005-10-12 |
| 公开（公告）号： | CN1767100A | 公开（公告）日： | 2006-05-03 |
| 发明（设计）人： | 伊东和重;佐藤阳 | 申请（专利权）人： | TDK株式会社 |
| 主分类号： | H01G4/12 | 分类号： | H01G4/12;H01B3/12;C04B35/468 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人： | 邰红;邹雪梅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供静电容量的温度特性好、IR温度依赖性低、可靠性高的陶瓷电子元件及其制造方法。本发明提供的陶瓷电子元件，其特征在于具有电介质层，其中，前述电介质层含有组成式BamTiO2+m (m是0.995≤m≤1.010、Ba与Ti的比是0.995≤Ba/Ti≤1.010)表示的主要成分，作为辅助成分的Al氧化物、Si氧化物或R的氧化物(其中R是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb与Lu中的至少1种，前述Al的氧化物的至少一部分，和前述Si的氧化物或前述R的氧化物的至少一部分，形成与主要由前述主要成分构成的主相不同的2次相。 | ||
| 搜索关键词： | 陶瓷 电子元件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种陶瓷电子元件，其具有电介质层，其特征在于，前述电介质层含有组成式BamTi2+m表示的主要成分，该组成式中的m是0.995≤m≤1.010、Ba与Ti的比是0.995≤Ba/Ti≤1.010；和辅助成分，前述辅助成分包含Al的氧化物，和Si的氧化物或R的氧化物(其中R是选自Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb与Lu中的至少1种)，前述Al的氧化物的至少一部分与前述Si的氧化物或前述R的氧化物的至少一部分，形成与主要由前述主要成分构成的主相不同的2次相，前述电介质层中包含该2次相。
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