[发明专利]场效应晶体管及其制作方法有效
| 申请号： | 200510113630.0 | 申请日： | 2005-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN1773722A | 公开（公告）日： | 2006-05-17 |
| 发明（设计）人： | 奥莫尔·H·多库马西;陈华杰;沃纳尔·劳什;奥列格·G·格鲁钦科夫 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L29/16 | 分类号： | H01L29/16;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人： | 王永刚 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 一种形成场效应晶体管的方法，该方法产生较浅且较陡峭的结，同时在工艺中最大化掺杂剂活化，该工艺与目前的制造技术一致。更具体地本发明增加硅衬底的顶表面的氧含量。在增加硅衬底的顶表面的氧含量之前，优选地清洁硅衬底的顶表面。硅衬底的顶表面的氧含量高于硅衬底的其它部分，但低于将阻止外延生长的量。这使得本发明能够在硅衬底的顶表面上外延生长硅层。并且，该增加的氧含量基本上将掺杂剂限制在外延硅层内，而不会移动到硅衬底中。 | ||
| 搜索关键词： | 场效应 晶体管 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种场效应晶体管，包括：硅衬底，其中所述硅衬底的顶表面在与所述硅衬底的其它部分比较时具有增加的氧含量，并且其中所述硅衬底的所述顶表面的所述氧含量低于将阻止外延生长的量；在所述硅衬底的所述顶表面上方的外延硅层；以及在所述外延硅层上方的栅叠层。
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