[发明专利]半导体器件

摘要

提供一种半导体器件，其中对于具有彼此不同的各自功能的区域来说，可以同时调整晶体管中的栅电极的阈值。该半导体器件具有：P型Si衬底(109)；位于P型Si衬底(109)的元件形成表面侧的P型环形阱(181)；和位于P型环形阱(181)之内的N型环形阱(183)。此外，SRAM－P型阱(185)和SRAM－N型阱(189)位于N型环形阱(183)之内。深N型阱(133)比SRAM－P型阱(185)和SRAM－N型阱(189)更靠近P型Si衬底(109)的底侧。多个P型阱(103)位于P型环形阱(181)之外，并且以阱(101)封闭P型阱(103)的外侧面的方式提供N型阱(101)。

主权项

1.一种半导体器件，包括：一种导电类型的半导体衬底；一种导电类型的第一环形区域，其形成在所述半导体衬底的元件形成表面侧，并在基本平行于所述元件形成表面的平面中具有环形形状；相反导电类型的第二环形区域，其形成在半导体衬底的所述元件形成表面侧的所述第一环形区域之内，并在基本平行于所述元件形成表面的平面中具有环形形状；一种导电类型的第一区域，其形成在所述半导体衬底的所述元件形成表面侧的所述第二环形区域之内；位于所述第一区域上的第一晶体管；相反导电类型的第二区域，其形成在所述半导体衬底的所述元件形成表面侧的所述第二环形区域之内；位于所述第二区域上的第二晶体管；具有如下结构的相反导电类型的下部区域，在该结构中所述下部区域比所述第一和所述第二区域更靠近所述半导体衬底的底侧，且所述第一区域与所述半导体衬底的底侧彼此隔开；一种导电类型的多个第三区域，其形成在所述半导体衬底的所述元件形成表面侧的所述第二环形区域之外，并通过所述半导体衬底的底侧彼此电连接；位于所述第三区域上的第三晶体管；具有如下结构的相反导电类型的第四区域，在该结构中所述第四区域形成在所述半导体衬底的所述元件形成表面侧的所述第二环形区域之外，并由所述第一环形区域与所述第二环形区域和所述下部区域隔开，并封闭所述第三区域的每个外侧面；以及位于所述第四区域上的第四晶体管。