[发明专利]静电电容检测装置有效

专利信息
申请号: 200510113702.1 申请日: 2005-10-12
公开(公告)号: CN1760631A 公开(公告)日: 2006-04-19
发明(设计)人: 宫坂光敏 申请(专利权)人: 精工爱普生株式会社
主分类号: G01B7/28 分类号: G01B7/28
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 代理人: 李香兰
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
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摘要: 提供一种能够实现耐静电破坏性高的静电电容检测装置,在读取对象物的表面形状的静电电容检测装置中,含有:配置成M行N列的静电电容检测元件(1);和分别给该静电电容检测元件(1)提供电源的电源线。该静电电容检测元件(1)含有:信号检测元件(4),其蓄积与该静电电容相应的电荷;信号放大元件(T1),其将该信号检测元件(4)蓄积的电荷对应的信号进行放大。该信号检测元件(T1)含有:电容检测电极(41);和在该电容检测电极(41)与该对象物接触的一侧设置的电容检测电介质膜(42)。尤其,电容检测电介质膜(42)含有绝缘膜(160)和半导体膜(162)。
搜索关键词: 静电 电容 检测 装置
【主权项】:
1、一种静电电容检测装置,通过检测根据与对象物的距离而变化的静电电容进行,读取该对象物的表面形状,其特征在于,包括:配置成M行N列的静电电容检测元件、和给该静电电容检测元件的每一个提供电源的电源线,该静电电容检测元件含有:蓄积与该静电电容相应的电荷的信号检测元件、和将与该信号检测元件蓄积的电荷对应的信号放大的信号放大元件,该信号检测元件含有:电容检测电极、和在该电容检测电极的与该对应物接触的一侧上设置的电容检测电介质膜,该电容检测电介质膜具有绝缘膜和半导体膜。
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