[发明专利]半导体器件以及使用该器件的晶体振荡器

摘要

提供了一种小巧的半导体器件，该半导体器件形成了能够获得良好的电容变化的用于高频的电容元件。还提供了一种MOS电容器型半导体器件，该器件包括：通过栅极绝缘膜形成在衬底表面上的栅电极，设置成其间具有所述栅电极的源极/漏极区，以及包括用于接触衬底的接触扩散区的背栅。调整施加在源极或漏极区与栅电极之间的区域上或者施加在栅电极与背栅之间的区域上的电压，使得能够调整累积在栅极绝缘膜处的电荷。在该器件中，确定源极区与漏极区之间的距离或者背栅与栅电极之间的距离，使得在所施加的电压的一个周期内，电子或空穴能够累积在栅极绝缘膜与衬底之间的界面处。

主权项

1.一种金属氧化物半导体电容器型半导体器件，包括：栅电极，其通过栅极绝缘膜形成在衬底的表面上；源极/漏极区，其间设置有所述栅电极；以及背栅，其具有用于接触所述衬底的接触扩散区，其中调整施加在所述源极/漏极区与所述栅电极之间或者施加在所述栅电极与所述背栅之间的电压，使得能够调整累积在所述栅极绝缘膜处的电荷；并且确定所述源极区与漏极区之间的距离或者所述背栅与所述栅电极之间的距离，使得在叠加于所施加的电压上的频率的一个周期内，电子或空穴能够累积在所述栅极绝缘膜与所述衬底之间的界面处。