[发明专利]复合式化学机械抛光法无效
| 申请号： | 200510113717.8 | 申请日： | 2005-10-14 |
| 公开（公告）号： | CN1949456A | 公开（公告）日： | 2007-04-18 |
| 发明（设计）人： | 叶明鑫;李镇全;陈明德;吴一经;萧志祥 | 申请（专利权）人： | 联华电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/00 | 分类号： | H01L21/00;H01L21/304;H01L21/3105;H01L21/321;H01L21/762;H01L21/768;B24B1/00 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 陶凤波;侯宇 |
| 地址： | 台湾省新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种复合式化学机械抛光法，是先在第一抛光机台中，以第一抛光盘对待平坦层进行初步的抛光。接着，再于第二抛光机台中，以第二抛光盘对待平坦层进行进一步的抛光，然后，在同一机台中，以第三抛光盘对待平坦层进行最后的抛光。 | ||
| 搜索关键词： | 复合 化学 机械抛光 | ||
【主权项】：
1.一种复合式化学机械抛光法，包括：在一第一抛光机台中以一第一抛光盘对一待平坦层进行一初步抛光步骤；以及在一第二抛光机台中对该待平坦层进行一抛光步骤，其中该第一抛光机台与该第二抛光机台不相同，该抛光步骤包括：以一第二抛光盘对该待平坦层进行抛光；以及以一第三抛光盘对该待平坦层进行抛光。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
