[发明专利]化学机械抛光装置及其抛光垫的清洗方法与平坦化的方法无效
申请号: | 200510113718.2 | 申请日: | 2005-10-14 |
公开(公告)号: | CN1947945A | 公开(公告)日: | 2007-04-18 |
发明(设计)人: | 杨志强;彭朋意;刘志勇;朱健夫;林文杉;谢佳原 | 申请(专利权)人: | 联华电子股份有限公司 |
主分类号: | B24B39/06 | 分类号: | B24B39/06;B24B53/02;B24B55/00;B24B57/02;H01L21/304 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 台湾省新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | 一种化学机械抛光装置,适用于抛光晶片,此化学机械抛光装置包括一抛光台、一抛光垫、一研浆供应装置、一晶片承载器以及一高压液体清洗装置。其中,抛光垫配置于抛光台上,用以抛光晶片;研浆供应装置配置于抛光台上方,用以提供研浆;晶片承载器配置于抛光台上,用以承载晶片使其与抛光垫接触;高压液体清洗装置配置于抛光台上方,其是利用高压液体来清洗抛光垫,以去除抛光垫上的杂质。 | ||
搜索关键词: | 化学 机械抛光 装置 及其 抛光 清洗 方法 平坦 | ||
【主权项】:
1.一种化学机械抛光装置,适用于抛光一晶片,该化学机械抛光装置包括:一抛光台;一抛光垫,配置于该抛光台上,用以抛光该晶片;一研浆供应装置,配置于该抛光台上方;一晶片承载器,配置于该抛光台上,用以承载该晶片使其与该抛光垫接触;以及一高压液体清洗装置,配置于该抛光台上方,用以输送一高压液体至该抛光垫,以去除该抛光垫上的杂质。
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