[发明专利]晶片分割方法有效
申请号: | 200510113805.8 | 申请日: | 2005-10-12 |
公开(公告)号: | CN1779919A | 公开(公告)日: | 2006-05-31 |
发明(设计)人: | 永井祐介;饭冢健太吕 | 申请(专利权)人: | 株式会社迪斯科 |
主分类号: | H01L21/301 | 分类号: | H01L21/301;H01L21/78;B28D5/00 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 蔡胜利 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线将晶片分割成独立芯片的方法,在被多条分割线划分成的多个区域上形成有功能元件,包括:变质层形成步骤,沿着分割线施加能穿过晶片的激光束,沿着分割线在晶片内部形成变质层;晶片支承步骤,在变质层形成步骤前或后,将晶片一侧放置在一被安装在一环形支架上并通过外部触发而收缩的支承带的表面上;晶片分割步骤,向已经过变质层形成步骤并放置在支承带上的晶片施加外力,将晶片沿着已形成变质层的分割线分割成独立芯片;芯片间隙形成步骤,通过向在环形支架的内周边和支承带上的贴附到已经经过晶片分割步骤的晶片上的区域之间的一收缩区域施加外部触发而使其收缩,扩大相邻芯片之间的间隙。 | ||
搜索关键词: | 晶片 分割 方法 | ||
【主权项】:
1.一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线将晶片分割成独立芯片的方法,在被多条分割线划分成的多个区域上形成有功能元件,所述方法包括:变质层形成步骤,用于沿着分割线施加能够穿过晶片的激光束,从而沿着分割线在晶片内部形成变质层;晶片支承步骤,用于在所述变质层形成步骤之前或之后,将晶片的一侧放置在一个被安装在一环形支架上并通过外部触发而收缩的支承带的表面上;晶片分割步骤,用于向已经经过变质层形成步骤并被放置在所述支承带上的晶片施加外力,从而将晶片沿着已经形成变质层的分割线分割成独立的芯片;以及芯片间隙形成步骤,通过向一收缩区域施加外部触发而使所述收缩区域收缩,从而扩大相邻芯片之间的间隙,所述收缩区域在所述环形支架的内周边和所述支承带上的贴附到已经经过所述晶片分割步骤的所述晶片上的区域之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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