[发明专利]晶片分割方法有效

专利信息
申请号: 200510113805.8 申请日: 2005-10-12
公开(公告)号: CN1779919A 公开(公告)日: 2006-05-31
发明(设计)人: 永井祐介;饭冢健太吕 申请(专利权)人: 株式会社迪斯科
主分类号: H01L21/301 分类号: H01L21/301;H01L21/78;B28D5/00
代理公司: 永新专利商标代理有限公司 代理人: 蔡胜利
地址: 日本*** 国省代码: 日本;JP
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线将晶片分割成独立芯片的方法,在被多条分割线划分成的多个区域上形成有功能元件,包括:变质层形成步骤,沿着分割线施加能穿过晶片的激光束,沿着分割线在晶片内部形成变质层;晶片支承步骤,在变质层形成步骤前或后,将晶片一侧放置在一被安装在一环形支架上并通过外部触发而收缩的支承带的表面上;晶片分割步骤,向已经过变质层形成步骤并放置在支承带上的晶片施加外力,将晶片沿着已形成变质层的分割线分割成独立芯片;芯片间隙形成步骤,通过向在环形支架的内周边和支承带上的贴附到已经经过晶片分割步骤的晶片上的区域之间的一收缩区域施加外部触发而使其收缩,扩大相邻芯片之间的间隙。
搜索关键词: 晶片 分割 方法
【主权项】:
1.一种沿着晶片正面上形成为格子状图案的多条分割线将晶片分割成独立芯片的方法,在被多条分割线划分成的多个区域上形成有功能元件,所述方法包括:变质层形成步骤,用于沿着分割线施加能够穿过晶片的激光束,从而沿着分割线在晶片内部形成变质层;晶片支承步骤,用于在所述变质层形成步骤之前或之后,将晶片的一侧放置在一个被安装在一环形支架上并通过外部触发而收缩的支承带的表面上;晶片分割步骤,用于向已经经过变质层形成步骤并被放置在所述支承带上的晶片施加外力,从而将晶片沿着已经形成变质层的分割线分割成独立的芯片;以及芯片间隙形成步骤,通过向一收缩区域施加外部触发而使所述收缩区域收缩,从而扩大相邻芯片之间的间隙,所述收缩区域在所述环形支架的内周边和所述支承带上的贴附到已经经过所述晶片分割步骤的所述晶片上的区域之间。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于株式会社迪斯科,未经株式会社迪斯科许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510113805.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top