[发明专利]微电子器件的电介质多层及其制造方法无效
| 申请号： | 200510113817.0 | 申请日： | 2005-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN1779980A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 元皙俊;权大振;李钟镐 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/108 | 分类号： | H01L27/108;H01L27/00;H01L29/92;H01L23/485;H01L21/316;H01L21/28;H01L21/82;H01L21/8242;H01L21/02;H01L21/00;H01B3/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 李晓舒;魏晓刚 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种适合于改善微电子器件性能的电介质多层和制造电介质多层的方法。微电子器件的电介质多层包括：由两种或更多不同元素的氧化物形成并且其中不形成层状结构的复合层，以及形成在复合层的至少一个表面上并由单一元素的氧化物形成的单层。 | ||
| 搜索关键词： | 微电子 器件 电介质 多层 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1、一种电介质多层，包括：复合层，由两种或更多不同元素的氧化物形成并且其中不形成层状结构；以及单层，形成在所述复合层的至少一个表面上并由单一元素的氧化物形成。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
