[发明专利]相位差膜的制造方法和用该方法制造的相位差膜、以及用其的偏振片和液晶显示装置有效
申请号: | 200510113829.3 | 申请日: | 2005-10-19 |
公开(公告)号: | CN1766678A | 公开(公告)日: | 2006-05-03 |
发明(设计)人: | 田坂公志 | 申请(专利权)人: | 柯尼卡美能达精密光学株式会社 |
主分类号: | G02B5/30 | 分类号: | G02B5/30;G02F1/1335;G02F1/13363 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 张平元;赵仁临 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本发明提供改善了阻滞值的膜横向方向的分布和皂化处理的横向分布均一性的相位差膜及其制法,及使用它的偏振片和液晶显示装置。膜含有0.1~15质量%的含至少二个芳香环的阻滞上升剂,并进行拉伸处理,制造式(I)Ro=(nx-ny)×d;式(II)Rt={(nx-ny)/2-nz}×d表示的Ro为20~300nm的范围,Rt为70~400nm的范围的相位差膜的制造方法,其特征在于,使用下述(1)~(3)中的至少一个条件:(1)最大拉伸时的应力相对于断裂点应力,在50~98%的范围进行拉伸;(2)在最大拉伸时的应力绝对值为5~50MPa的范围进行拉伸;(3)在最大拉伸时的应力梯度为0.4~0.8MPa/%的范围进行拉伸制造。 | ||
搜索关键词: | 相位差 制造 方法 以及 偏振 液晶 显示装置 | ||
【主权项】:
1.一种相位差膜的制造方法,该方法是含有0.1~15质量%的含有至少二个芳香环的阻滞上升剂,并且进行拉伸处理,制造下述式(1)表示的Ro为20~300nm的范围,式(II)表示的Rt为70~400nm的范围的相位差膜的方法,式(I)Ro=(nx-ny)×d式(II)Rt={(nx-ny)/2-nz}×d[式中,nx表示膜面内的折射率最大的方向的折射率、ny表示与nx成直角的方向的膜面内的折射率、nz表示膜的厚度方向的折射率,d表示膜的厚度(nm)],其特征在于,采取下述(1)~(3)的制造条件中的至少一个条件:(1)在最大拉伸时的应力相对于断裂点应力为50~98%的范围进行拉伸(2)在最大拉伸时的应力绝对值为5~50MPa的范围进行拉伸(3)在最大拉伸时的应力梯度为0.4~0.8MPa/%的范围进行拉伸。
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