[发明专利]等离子体反应腔有效
申请号: | 200510113892.7 | 申请日: | 2005-10-21 |
公开(公告)号: | CN1786263A | 公开(公告)日: | 2006-06-14 |
发明(设计)人: | 江坤盛;林志明;邱志勤;范和安;郑有青 | 申请(专利权)人: | 友达光电股份有限公司 |
主分类号: | C23C16/513 | 分类号: | C23C16/513;H01L21/205 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人: | 陶凤波;侯宇 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种等离子体反应腔,包括第一极板、第二极板、挡板及固定框。第二极板位于第一极板之上,并且具有多个气体扩散孔。挡板环绕于第二极板边缘,固定框则安装于第二极板与挡板之接合部位的下表面。固定框包括金属本体包覆于熔射涂层之内,且熔射涂层包含绝缘材料。当第二极板与挡板靠合并以固定框固定时,以熔射涂层将金属本体与第二极板隔开。 | ||
搜索关键词: | 等离子体 反应 | ||
【主权项】:
1.一种等离子体反应腔,包括:第一极板;第二极板,位于该第一极板之上,具有多个气体扩散孔;挡板,环绕于该第二极板边缘;以及固定框,安装于该第二极板与该挡板的接合部位的下表面,该固定框包括金属本体包覆于熔射涂层之内,其中该熔射涂层包含绝缘材料,当该第二极板与该挡板靠合并以该固定框固定时,该熔射涂层将该金属本体与该第二极板隔开。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于友达光电股份有限公司,未经友达光电股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/200510113892.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的