[发明专利]导电和绝缘准氮化镓基生长衬底

摘要

利用硫化锌与硅之间的极小的晶格常数失配，本发明揭示几种具有不同结构的生长于硅衬底上的导电和绝缘准氮化镓基生长衬底，以及低成本生长的工艺方法。准氮化镓基衬底的组成部分包括，但不限于：支持衬底，反射/欧姆层(层叠于所述的支持衬底上)，氮化镓层(层叠于所述的反射/欧姆层上)，第二中间媒介层(层叠在所述的支持衬底和所述的反射/欧姆层之间)。

主权项

1.一种准氮化镓基衬底，其组成部分包括，但不限于：(a)生长衬底；其中，生长衬底的材料是从一组材料中选出，该组材料包括，但不限于，硅晶片，导电硅晶片；(b)第一中间媒介层；其中，所述的第一中间媒介层层叠于所述的生长衬底上；其中，所述的第一中间媒介层包括单层或多层结构，每层的材料是从一组材料中选出，该组材料包括，但不限于，(1)元素氮，硫，锌，铝，镓，硼的二元系和三元系，包括，但不限于：硫化锌，导电硫化锌，氮化铝，导电氮化铝，低温氮化镓，导电低温氮化镓，硼铝氮，硼镓氮，及它们的组合；(2)低熔点金属层，所述的低熔点金属层的材料包括，但不限于，铟，镉，银，和锡，等；(3)高熔点金属层，所述的高熔点金属层的材料包括，但不限于，金，铪，钪，鋯，钒，钛，铬，及它们的组合；(4)氮化金属层，所述的氮化金属层的材料包括，但不限于，氮化鋯，氮化铪，氮化钛，氮化钛鋯，等；(5)上述材料(1)，(2)，(3)，和(4)的组合；其中，所述的硫化锌或导电硫化锌层叠于所述的生长衬底上，所述的低温氮化镓层或导电低温氮化镓层是第一中间媒介层的表面层，第一中间媒介层的其它层层叠于所述的硫化锌层或导电硫化锌层和所述的低温氮化镓层或导电低温氮化镓层之间。