[发明专利]存储器件和半导体器件无效
| 申请号： | 200510114006.2 | 申请日： | 2005-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN1779851A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 长尾一;八野英生;相良敦;森宽伸;岡崎信道;大塚涉;对马朋人;中岛智惠子 | 申请（专利权）人： | 索尼株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/15 | 分类号： | G11C11/15;G11C13/00;H01L27/10;H01L43/08 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 黄小临;王志森 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 一种存储器件，包括：存储元件，具有这样的特性：作为被施加大于或等于第一门限信号的电信号的结果，其电阻值从高状态向低状态改变，并且作为被施加大于或等于第二门限信号的电信号的结果，其电阻值从低状态向高状态改变，其中所述第二门限信号的极性与第一门限信号的极性不同；以及电路元件，与存储元件串联，并且作为负荷，所述存储元件和电路元件形成存储单元，并且多个所述存储单元以矩阵排列，其中，在读取存储元件时的电路元件的电阻值与在写入或擦除存储元件时的电阻值不同。 | ||
| 搜索关键词： | 存储 器件 半导体器件 | ||
【主权项】：
1.一种存储器件，包括：存储元件，具有这样的特性：作为被施加大于或等于第一门限信号的电信号的结果，其电阻值从高状态向低状态改变，并且作为被施加大于或等于第二门限信号的电信号的结果，其电阻值从低状态向高状态改变，其中所述第二门限信号的极性与第一门限信号的极性不同；以及电路元件，与所述存储元件串联，并且作为负荷，所述存储元件和电路元件形成存储单元，并且多个所述存储单元以矩阵排列，其中，在读取存储元件时的电路元件的电阻值与在写入或擦除存储元件时的电阻值不同。
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