[发明专利]半导体器件及其制造方法

摘要

在半导体衬底上限定四个区域，即窄NMOS区域、宽NMOS区域、宽PMOS区域以及窄PMOS区域。然后，在该半导体衬底上顺序地形成栅极绝缘膜和多晶硅膜之后，将n型杂质引入该宽NMOS区域内的该多晶硅膜中。接着，通过图案化该多晶硅膜，在所述四个区域中形成栅电极。然后，将n型杂质引入该窄NMOS区域以及该宽NMOS区域内的该栅电极中。因此，使得该窄NMOS区域内的该栅电极的杂质浓度低于该宽NMOS区域内的该栅电极的杂质浓度。

主权项

1.一种半导体器件，包括：第一场效应晶体管，所述第一场效应晶体管具有由其中引入了杂质的多晶硅构成的第一栅电极；以及第二场效应晶体管，所述第二场效应晶体管具有由其中引入了杂质的多晶硅构成的第二栅电极，所述第二场效应晶体管的栅极宽度窄于所述第一场效应晶体管的栅极宽度，所述第二场效应晶体管的导电类型与所述第一场效应晶体管的导电类型一致，并且所述第二栅电极中的杂质浓度低于所述第一栅电极中的杂质浓度。