[发明专利]非易失性存储器件及其制造方法

摘要

提供一种非易失性存储器及其制造方法。形成与焊盘氧化物层相比较具有高刻蚀速率的绝缘层作为第一STI膜和第二STI膜之间的缓冲层，第一STI膜形成为半导体衬底的下部分，以及第二STI膜形成为半导体衬底的上部分，以获得用于SAP结构的柱子CD。在刻蚀焊盘氧化物层的工序中，缓冲层与焊盘氧化物层相比被更迅速地刻蚀，因此保证足够的柱子CD，而没有过度的湿法回蚀。由此，在实现SAP结构中，可以防止缺陷发生如沟槽或裂缝，以及可以形成均匀厚度的隧道氧化物层。

主权项

1.一种用于电编程和擦除数据的非易失性存储器件，包括：一对半导体柱子，每个柱子包括：在半导体衬底的内部中形成的下浅沟槽隔离(STI)膜；在下STI膜上形成的缓冲层，包括与下STI膜相比较具有高刻蚀速率的材料；在缓冲层上形成的上STI膜，包括与缓冲层相比较具有低刻蚀速率的材料；以及在柱子之间并包括平坦表面的有源区，具有在其上淀积的隧道氧化物层。