[发明专利]半导体器件有效
申请号: | 200510114108.4 | 申请日: | 2005-10-24 |
公开(公告)号: | CN1763951A | 公开(公告)日: | 2006-04-26 |
发明(设计)人: | 冰见启明;山田明;葛原刚 | 申请(专利权)人: | 株式会社电装 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 王英 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 一种半导体器件包括彼此绝缘和分离的晶体管元件,并且这些晶体管元件依次彼此连接在地电位和预定电位之间。处于GND电位侧的晶体管元件为第一级,处于预定电位侧的晶体管元件为第n级。电阻元件或电容元件依次彼此串联连接在GND电位和预定电位之间。处于GND电位侧的电阻或电容元件为第一级,处于预定电位侧的电阻或电容元件为第n级。除了第一级晶体管元件以外的各个级晶体管元件的栅极端依次连接到连接点。从第n级晶体管元件的预定电位侧的端子抽取输出。 | ||
搜索关键词: | 半导体器件 | ||
【主权项】:
1、一种半导体器件(100、100a、101a-101d),包括:彼此绝缘和分离的并依次彼此串联连接在地电位和预定电位之间的n个(n≥2)晶体管元件(Tr1-Trn),其中将处于GND电位侧的晶体管元件(Tr1)设置为第一级,处于预定电位侧的晶体管元件(Trn)设置为第n级,其中将第一级晶体管元件的栅极端设置为输入端;以及依次彼此串联连接在GND电位和预定电位之间的n个电阻元件或电容元件(R1-Rn),其中将处于GND电位侧的电阻或电容元件(R1)设置为第一级,处于预定电位侧的电阻或电容元件(Rn)设置为第n级,其中除了所述第一级晶体管元件以外的各个级晶体管元件的栅极端依次连接到彼此串联连接在一起的各个级电阻或电容元件(R1-Rn)之间的连接点(P2-Pn)上,其中从第n级晶体管元件(Trn)的预定电位侧(Rn)的端子抽取输出。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
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H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的