[发明专利]薄膜沉积方法无效
| 申请号： | 200510114267.4 | 申请日： | 2005-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN1779927A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 松泽兴明;佐藤浩;小宫隆行;近藤英一;松本贤治 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社;近藤英一 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 在形成于基板上的Cu扩散阻止膜上形成Cu膜的薄膜沉积方法中，在Cu扩散阻止膜上形成接触膜，该接触膜提供Cu膜对Cu扩散阻止膜的附着。将超临界态介质中溶解有前体的加工介质供应给基板，以使Cu膜在接触膜上形成。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜 沉积 方法 | ||
【主权项】：
1.一种薄膜沉积方法，所述方法是在形成于基板上的Cu扩散阻止膜上形成Cu膜，其包括以下步骤：在所述Cu扩散阻止膜上形成接触膜，其提供所述Cu膜对所述Cu扩散阻止膜的附着；以及向所述基板供应超临界态介质中溶解有前体的加工介质，以使所述Cu膜在所述接触膜上形成。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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