[发明专利]半导体器件的结构和制造方法有效
| 申请号： | 200510114325.3 | 申请日： | 2005-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN1790700A | 公开（公告）日： | 2006-06-21 |
| 发明（设计）人： | 杨海宁;朱慧珑;C·H·沃恩 | 申请（专利权）人： | 国际商业机器公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市中咨律师事务所 | 代理人： | 于静;李峥 |
| 地址： | 美国*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本发明提供了一种包括具有第一部分和第二部分的半导体器件区的结构。提供水平地在所述第一部分上但不在所述第二部分上延伸的导电部件。如应力施加膜的第一膜，在所述第二部分上和只部分地在所述导电部件上延伸，以暴露所述部件的接触部分。提供与所述部件的所述接触部分导电连通的第一接触过孔，第一接触过孔具有自对准含硅化物区。提供与所述半导体器件区的所述第二部分导电连通的第二接触过孔，所述第二接触过孔延伸穿过所述第一膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 结构 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种结构，包括：半导体器件区，包括第一部分和第二部分；导电部件，水平地在所述第一部分上但不在所述第二部分上延伸；第一膜，在所述第二部分上和只部分地在所述导电部件上延伸，以暴露所述部件的接触部分；第一接触过孔，与所述部件的所述接触部分导电连通，所述第一接触过孔包括自对准含硅化物区；以及第二接触过孔，与所述第二部分导电连通，所述第二接触过孔延伸穿过所述第一膜。
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