[发明专利]半导体装置与浮动栅极存储器无效
| 申请号： | 200510114470.1 | 申请日： | 2005-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1832200A | 公开（公告）日： | 2006-09-13 |
| 发明（设计）人： | 赖理学;陈宏玮;李文钦;季明华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/788 | 分类号： | H01L29/788;H01L27/105;H01L27/115 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所 | 代理人： | 刘新宇;张久安 |
| 地址： | 台湾省新竹科学*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置与浮动栅极存储器，该半导体装置与浮动栅极存储器包括一栅极结构，其包括：位于一基底上的一穿隧氧化层；位于穿隧氧化层上的一浮动栅极；位于浮动栅极上的一介电层；以及位于介电层上的一控制栅极。半导体装置更包括：沿着栅极结构相对边缘的间隙壁；一第一杂质区，其具有第一型掺杂物并从栅极结构的一第一边缘侧向分隔；以及一第二杂质区，其具有与第一型相反的一第二型掺杂物，且其大体位于一间隙壁下方并大体对准于该栅极结构的一第二边缘。本发明所述的半导体装置与浮动栅极存储器可快速编程，并且可达成多种电位的编程以表示出多种的储存状态。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 浮动 栅极 存储器 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其特征在于，所述半导体装置包括：一基底；一栅极结构，包括：一穿隧氧化层，位于该基底上；一浮动栅极，位于该穿隧氧化层上；一介电层，位于该浮动栅极上；以及一控制栅极，位于该介电层上；一第一杂质区，其具有第一型掺杂物，并与该栅极结构的一第一边缘侧向分离；以及一第二杂质区，其具有与该第一型掺杂物相反的一第二型掺杂物，且其位于一间隙壁下方并对准于该栅极结构的一第二边缘。
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