[发明专利]发光二极管芯片有效
| 申请号： | 200510114474.X | 申请日： | 2005-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1956230A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 武良文;简奉任 | 申请（专利权）人： | 璨圆光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王永红 |
| 地址： | 台湾省桃园县龙潭乡*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种发光二极管芯片，其主要包括基板、第一型掺杂半导体层、第二型掺杂半导体层、发光层、至少一掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层及至少一穿隧接合层。第一型掺杂半导体层设置于基板上，且发光层设置于第一型掺杂半导体层与第二型掺杂半导体层之间。掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层设置于发光层的至少其中一表面上，且穿隧接合层设置于掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层与第一型掺杂半导体层之间及/或掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层与第二型掺杂半导体层之间，其中掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层与穿隧接合层是位于发光层的同一侧。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 芯片 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管芯片，其特征是包括：基板；第一型掺杂半导体层，设置于该基板上；第二型掺杂半导体层，设置于该第一型掺杂半导体层上方；发光层，设置于该第一型掺杂半导体层与该第二型掺杂半导体层之间；至少一掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层，设置于该发光层的至少其中一表面上；至少一穿隧接合层，设置于该掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层与该第一型掺杂半导体层之间及/或该掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层与该第二型掺杂半导体层之间，其中该掺杂铟掺质之氮化铝镓系材料层与该穿隧接合层是位于该发光层的同一侧；第一电极，设置于该第一型掺杂半导体层上；以及第二电极，设置于该第二型掺杂半导体层上。
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