[发明专利]非易失性存储单元与其制造方法无效
| 申请号： | 200510114478.8 | 申请日： | 2005-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN1956156A | 公开（公告）日： | 2007-05-02 |
| 发明（设计）人： | 余旭升;李俊鸿 | 申请（专利权）人： | 旺宏电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8239;H01L29/78;H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京连和连知识产权代理有限公司 | 代理人： | 王昕 |
| 地址： | 台湾省新竹县新*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种非易失性存储单元的制造方法，包括于基板上形成堆叠栅极结构，此堆叠栅极结构包括第一介电层、电荷储存层、第二介电层及导体层。然后，于此堆叠栅极结构侧壁形成保护层。之后，进行蚀刻工艺以移除用以形成堆叠栅极结构的预盖层，在此蚀刻工艺中，顶盖层与保护层的蚀刻率不同。由于在移除顶盖层之前，于堆叠栅极结构的侧壁上设置有保护层，因此用来移除预盖层的蚀刻工艺不会损伤到堆叠栅极结构中与顶盖层相似的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性 存储 单元 与其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种非易失性存储单元的制造方法，其特征是包括：于基板上形成堆叠栅极结构，该堆叠栅极结构由下而上包括第一介电层、电荷储存层、第二介电层、导体层及顶盖层；于该基板中形成源极/漏极区；于该堆叠栅极结构侧壁形成保护层；以及进行蚀刻工艺，以移除该顶盖层，在该蚀刻工艺中，该顶盖层与该保护层的蚀刻率不同。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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