[发明专利]半导体集成电路有效
| 申请号： | 200510114532.9 | 申请日： | 2005-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN1780146A | 公开（公告）日： | 2006-05-31 |
| 发明（设计）人： | 石塚裕康;田中一雄 | 申请（专利权）人： | 株式会社瑞萨科技 |
| 主分类号： | H03K5/08 | 分类号： | H03K5/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 提供本发明以抑制由诸如电源噪声的相对小的电源波动引起的保护电路中误操作的出现。保护电路具有第一电阻器和电容器、反相器和MOS晶体管，第一电阻器和电容器串联连接在电源线和接地线之间，反相器的输入连接在第一电阻器和电容器之间，MOS晶体管的栅电极接收反相器的输出并且MOS晶体管的漏电极和源电极连接到电源线和接地线。当高电压波动出现在电源线中时，在第一电阻器和电容器之间的连接点处的电平变化根据时间常数而延迟。通过该延迟，接收反相器输出的MOS晶体管暂时导通，且高电压放电到接地线。由于反相器的输出经由第二电阻器下拉至接地线，即使反相器的输出出现不希望的波动，也可以抑制在MOS晶体管的栅极输入中的波动。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 集成电路 | ||
【主权项】：
1.一种半导体集成电路，其具有用于抑制在电源线和接地线之间的高电压波动的保护电路，其中所述保护电路具有第一电阻器和电容器、反相器以及MOS晶体管，所述第一电阻器和所述电容器串联连接在所述电源线和所述接地线之间，所述反相器的输入连接在所述第一电阻器和所述电容器之间，所述MOS晶体管的栅电极接收所述反相器的输出，所述MOS晶体管的漏电极和源电极连接到所述电源线和所述接地线，并且所述MOS晶体管的所述栅电极经由第二电阻器连接到所述接地线。
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